您的当前位置: 首页 > 产品中心 > 压电器件 > 压电陶瓷模组 >
PANL 系列微步电机模组
微步电机陶瓷模组由多层压电陶瓷层(通过机械方式串联)以交错电极(电极间相互平行)的方式组成,其中包括了一定数量的压电陶瓷厚度片与压电陶瓷剪切片,能够在两轴输出位移。其通过厚度片抬高、剪切片前进,类似尺蠖昆虫的爬行方式来实现长行程。
主要特点

纳米级步进精度

重复精度高

微秒级响应

理论无限行程

断电自锁

主要应用
半导体设备
精密光学调节设备
精密运动控制
科学研究
工业自动化
精密检测设备
机械尺寸图
技术参数
PANL-R001-14-16H4Q PANL-S06-22-5HTQ PANL-S06-22-7H5Q PANL-S06-22-12Q
运动轴 Z/X Z/X Z/X Z/X
元件高度一致性 ≤0.03mm ≤0.03mm ≤0.03mm ≤0.03mm
元件上顶面共面平面度 ≤5μm ≤5μm ≤5μm ≤5μm
元件下底面平面度 ≤5μm ≤5μm ≤5μm ≤5μm
元件上顶面与下底面平行度 ≤10μm ≤10μm ≤10μm ≤10μm
剪切压电陶瓷驱动电压 -250V~+250V -250V~+250V -250V~+250V -250V~+250V
纵向压电陶瓷驱动电压 -250V~+250V -250V~+250V -250V~+250V -
剪切压电陶瓷位移(Y向位移) ≥±2μm@±250V ≥±7μm@±250V ≥±5μm@±250V ≥±12μm@±250V
纵向压电陶瓷位移(Z向位移) ≥3μm@500Vp-p(±250V) ≥0.9μm@500Vp-p(±250V) ≥1.5μm@500Vp-p(±250V) -
剪切压电陶瓷最大输出力 ≥±100N@±250V ≥±50N@±250V ≥±50N@±250V ≥±50N@±250V
纵向压电陶瓷最大输出力 ≥2000N@±250V ≥700N@±250V ≥1000N@±250V -
单个压电陶瓷纵向机械刚度 ≥500N/μm ≥250N/μm ≥250N/μm ≥250N/μm
剪切压电陶瓷电容 ≤40nF±15%@1Vp-p&1kHz ≤45nF±15%@1Vp-p&1kHz ≤30nF±15%@1Vp-p&1kHz ≤90nF±15%@1Vp-p&1kHz
纵向压电陶瓷电容 ≤150nF±15%@1Vp-p&1kHz ≤40nF±15%@1Vp-p&1kHz ≤60nF±15%@1Vp-p&1kHz -
剪切压电陶瓷迟滞非线性 @500Vp-p ≤40% ≤40% ≤40% ≤40%
工作温度 -25℃ ~ 130℃ -25℃ ~ 130℃ -25℃ ~ 130℃ -25℃ ~ 130℃
居里温度 280℃ 280℃ 280℃ 280℃
外形尺寸
L 33mm±0.1mm 13mm±0.1mm 13mm±0.1mm 13mm±0.1mm
W 10mm±0.1mm 13mm±0.1mm 13mm±0.1mm 13mm±0.1mm
H 15mm±0.005mm 8.7mm±0.005mm 8.7mm±0.005mm 8.7mm±0.005mm

*位移测试:驱动电压 -250~250V、公差±15%;
** 外形尺寸:标注尺寸为单侧陶瓷模组尺寸,不包括线路板;
*** 电容测试条件:常温环境,1Vpp,1kHz,公差±15%。
型号解读
定制信息

驱动电压:隐冠可以灵活地定制器件的最大驱动电压,我们提供的最大驱动电压常见可选范围为50 ~ 250V,其他特殊的最大驱动电压也可根据客户需求灵活定制。

位移定制:输出位移主要取决于器件的尺寸,隐冠提供多种剪切和厚度位移的组合,位移行程可选。 

工作频率:模组的驱动频率通常是250Hz,隐冠可通过结构设计灵活变更驱动频率,当模组需要在更高的驱动频率下工作时,则需要降低驱动电压,防止高频高压下器件发热和振动而导致模组损毁。

外形定制:模组的长、宽、高可根据客户需求灵活定制。

链接方式:在满足AWG使用标准的情况下,可选配线束或柔性线路板。线束长度和朝向、线路板的设计也可根据客户灵活定制。

版权所有© 上海隐冠半导体技术股份有限公司 备案号:沪CP备19035819号-4 网站建设-博敏